LEC坩埚
液封直拉法（LEC）技术可生长适用于直接离子注入的高纯非掺杂半绝缘单晶或多晶等。
主要特点：
1.我公司可制作大规格坩埚（最大直径12inch，最大高度17inch）
2.纯度高（>99.99%）；
3. 1500℃下，a方向的热导率是c方向的20倍以上，有利于形成单晶生长所需的温度梯度。
产品应用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半导体单晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶。
主要特点：
1.我公司可制作大规格坩埚（最大直径12inch，最大高度17inch）
2.纯度高（>99.99%）；
3. 1500℃下，a方向的热导率是c方向的20倍以上，有利于形成单晶生长所需的温度梯度。
产品应用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半导体单晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶。
PBN性能参数表
| Properties（属性） | Units（单位） | Values（数值） |
| Density（密度） | g/cm3 | 1.95-2.20 |
| Tensile Strength（抗拉强度） | MPa | 112 |
| Bending Strength（弯曲强度） | MPa | 173 |
| Compression Strength（压缩强度） | MPa | 154 |
| Young's Modulus（杨氏模量） | GPa | 18 |
| Thermal Conductivity（导热系数） | W/m°C | "a" 60 "c" 2 |
| Specific Heat（比热） | J/g·℃ | 0.90（RT） |
| Resistivity（电阻率） | Ω.cm | 2×1015 |
| Dielectric Strength（介电强度） | D.C. volts/mm | 2x1015 |
| Dielectric Constant（介电常数） | "c" 3.07 | |
| Metal Impurity Content（金属杂质含量） | ppm | <10 |
