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氮化硼结构件任意尺寸都可加工
氮化硼陶瓷与氧化铝陶瓷相比,优点耐温高,真空或气氛保护下使用温度2000度,氧化铝不超过1700度.抗热震非常好,升降温再快氮化硼陶瓷也不会开裂,1000度炉内保温20分钟取出来吹风急冷连续反复上百次不会开裂.氧化铝陶瓷急冷急热易开裂.耐腐蚀,耐酸碱,电绝缘强度是氧化铝陶瓷的3 -4倍.氮化硼陶瓷金属材料不反应不粘结,如黑色金属,铁,铜,不锈钢,铋,锗,铝,锑,锡,镉,铅,镍,锌,黄铜,铟,镁;玻璃熔体,钠玻璃,冰晶石等.硅熔盐:炉渣氟化物等不反应不粘结,可以作为其高温烧结熔炼用盛装容器,坩埚,承烧板等.氮化硼易吸潮,坩埚不用时不要放置于潮湿区域.密封保存,不能用洗,表面脏了直接用砂纸擦除.所有尺寸都可以按客户的要求加工.¥ 0.00立即购买
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BN光谱仪陶瓷片斯派克,布鲁克,岛津,贝尔德,北京纳克,牛津光谱仪,山东东仪等各国光谱仪垫片可加工任意尺寸
本公司所有产品都可按客户需求的尺寸订做:各国光谱仪各种型号都可以定制。产品的尺寸不同价位也不同,如有疑问请致电:18602175437张工
目前市面上出现很多家卖光谱仪垫片的,目前市面上使用都是低质量材质充当高质量的售卖,没有一家敢保证每片可以使用300次以上的,我们家是全新的工艺可以保证每片至少使用300次以上。(你们购买前可相互咨询,如果使用不到300次可以退货不?)本公司产品如果使用不到300次可以免费退货。¥ 0.00立即购买
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氮化硼坩埚可加工任意尺寸
氮化硼陶瓷与氧化铝陶瓷相比,优点耐温高,真空或气氛保护下使用温度2000度,氧化铝不超过1700度.抗热震非常好,升降温再快氮化硼陶瓷也不会开裂,1000度炉内保温20分钟取出来吹风急冷连续反复上百次不会开裂.氧化铝陶瓷急冷急热易开裂.耐腐蚀,耐酸碱,电绝缘强度是氧化铝陶瓷的3 -4倍.氮化硼陶瓷金属材料不反应不粘结,如黑色金属,铁,铜,不锈钢,铋,锗,铝,锑,锡,镉,铅,镍,锌,黄铜,铟,镁;玻璃熔体,钠玻璃,冰晶石等.硅熔盐:炉渣氟化物等不反应不粘结,可以作为其高温烧结熔炼用盛装容器,坩埚,承烧板等.氮化硼易吸潮,坩埚不用时不要放置于潮湿区域.密封保存,不能用洗,表面脏了直接用砂纸擦除.所有尺寸都可以按客户的要求加工.¥ 0.00立即购买
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OLED坩埚
OLED是正在新兴的一种先进显示技术。 OLED坩埚作为OLED生产线上蒸发元的主要容器使用。
产品特点
纯度高达99.999%
高温下放气率极低
厚度均匀,加热一致性好
优异的热导率和抗热震性
易清洗和反复使用
化学惰性,在高温下与酸、碱不发生化学反应¥ 0.00立即购买
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MBE坩埚
分子束外延(MBE)法是生产砷化镓外延片的方法之一,该法可制出多元、多层、同质、异质、超晶格和量子阱等结构的外延材料。晶体纯度高,化学稳定性好。
主要特点:
1. 可制作大规格坩埚(最大直径12inch,最大高度17inch);
2. 密度高(最高可达2.2g/cm3);
3. 纯度高(>99.99%);
4.不易开裂(层间强度高)。
产品应用
主要用于MBE法合成半导体单晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。¥ 0.00立即购买
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VGF坩埚
VGF坩埚是应用于垂直梯度凝固法(VGF)技术中的一类坩埚。目前,VGF技术作为单晶生长的热门技术,是微光电子和半导体产业生长GaAs单晶和InP单晶的良好选择。
主要特点:
1.可制作大规格坩埚(最大直径8inch,最大高度18inch);
2.纯度>99.99%
3.使用次数多(具有优异的层间结构);
产品应用
应用于原位合成GaAs、InP等半导体单晶。¥ 0.00立即购买
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LEC坩埚
液封直拉法(LEC)技术可生长适用于直接离子注入的高纯非掺杂半绝缘单晶或多晶等。
主要特点:
1.我公司可制作大规格坩埚(最大直径12inch,最大高度17inch)
2.纯度高(>99.99%);
3. 1500℃下,a方向的热导率是c方向的20倍以上,有利于形成单晶生长所需的温度梯度。
产品应用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半导体单晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶。¥ 0.00立即购买
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PBN舟
水平定向凝固法合成多晶,定向凝固炉分为3个温区,以砷化镓多晶为例,砷单质在低温区(约630 ℃)升华,通过中温区后在高温区(1 250~1 255 ℃)与镓逐渐化合为砷化镓多晶。PBN舟用于高温区的反应容器。
主要特点:
1.可制作大规格舟(最大高度为17inch);
2.密度高(最高可达2.20g/cm3);
3.纯度高(>99.99%);
4.不易开裂(层间强度高)
5.耐高温(真空中最高可耐受2300℃高温);
6.抗热震性好;
7.使用寿命长 。
产品应用:
用于水平定向凝固法生长Ⅲ-Ⅴ族化合物多晶等。¥ 0.00立即购买
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PBN板材垫片
目前常规的绝缘材料存在不耐高温、纯度低、高温下释放气体、韧性差、高温下不绝缘、易被腐蚀等缺点,PBN绝缘板可解决这些问题。
主要特点:
1.在真空中最高可耐受2300℃,在氨气氛下最高可耐受2700℃
2. 纯度高,高温下不释放气体杂质(>99.99%)
3.韧性好(类似于石墨的六方结构)
4. 高温绝缘性好(体积电阻系数3.11×1011Ω•cm)
5.强化学惰性,耐酸碱盐及有机溶剂的腐蚀
6. c方向热导率低,能够阻挡热量向下传导,减少热量的损失
产品应用:
用于真空、高温、MBE设备等领域的绝缘垫板、垫片、支架、桥架等¥ 0.00立即购买
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氧化铝基片基板结构件
氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料,用于厚膜集成电路。氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。氧化铝陶瓷是一种用途广泛的陶瓷,因为其优越的性能,在现代社会的应用已经越来越广泛,满足于日用和特殊性能的需要¥ 0.00立即购买
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非标订做各种异形氧化铝刚玉陶瓷坩埚
纯度高,耐化学腐蚀性好2、耐温性好,长期使用在1600℃,短期1800℃3、耐急冷急热性好,不易炸裂4、注浆成型密度高 适用于各种实验室金属、非金属样品分析及熔料用。
刚玉坩埚特点:
1、纯度高:Al2O3>99.3%,耐化学腐蚀性好
2、耐温性好,长期使用在1650℃,短期1800℃
3、耐急冷急热性好,不易炸裂
4、注浆成型密度高
用 途:烧制彩电粉,荧光粉,稀土材料,贵金属材料,焙烧高,中,低陶瓷电容器NTC,PTC压电陶瓷及钴酸锂,锰酸锂粉末的最佳焙烧容器¥ 0.00立即购买
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测温热电偶用保护管、绝缘管
氧化铝陶瓷纯度分别为(95/97/99/99.5/99.7/99.8/99.9/99.99)¥ 0.00立即购买
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OLED坩埚
OLED是正在新兴的一种先进显示技术。 OLED坩埚作为OLED生产线上蒸发元的主要容器使用。
产品特点
纯度高达99.999%
高温下放气率极低
厚度均匀,加热一致性好
优异的热导率和抗热震性
易清洗和反复使用
化学惰性,在高温下与酸、碱不发生化学反应¥ 0.00立即购买
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MBE坩埚
分子束外延(MBE)法是生产砷化镓外延片的方法之一,该法可制出多元、多层、同质、异质、超晶格和量子阱等结构的外延材料。晶体纯度高,化学稳定性好。
主要特点:
1. 可制作大规格坩埚(最大直径12inch,最大高度17inch);
2. 密度高(最高可达2.2g/cm3);
3. 纯度高(>99.99%);
4.不易开裂(层间强度高)。
产品应用
主要用于MBE法合成半导体单晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。¥ 0.00立即购买
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VGF坩埚
VGF坩埚是应用于垂直梯度凝固法(VGF)技术中的一类坩埚。目前,VGF技术作为单晶生长的热门技术,是微光电子和半导体产业生长GaAs单晶和InP单晶的良好选择。
主要特点:
1.可制作大规格坩埚(最大直径8inch,最大高度18inch);
2.纯度>99.99%
3.使用次数多(具有优异的层间结构);
产品应用
应用于原位合成GaAs、InP等半导体单晶。¥ 0.00立即购买
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LEC坩埚
液封直拉法(LEC)技术可生长适用于直接离子注入的高纯非掺杂半绝缘单晶或多晶等。
主要特点:
1.我公司可制作大规格坩埚(最大直径12inch,最大高度17inch)
2.纯度高(>99.99%);
3. 1500℃下,a方向的热导率是c方向的20倍以上,有利于形成单晶生长所需的温度梯度。
产品应用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半导体单晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶。¥ 0.00立即购买
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PBN舟
水平定向凝固法合成多晶,定向凝固炉分为3个温区,以砷化镓多晶为例,砷单质在低温区(约630 ℃)升华,通过中温区后在高温区(1 250~1 255 ℃)与镓逐渐化合为砷化镓多晶。PBN舟用于高温区的反应容器。
主要特点:
1.可制作大规格舟(最大高度为17inch);
2.密度高(最高可达2.20g/cm3);
3.纯度高(>99.99%);
4.不易开裂(层间强度高)
5.耐高温(真空中最高可耐受2300℃高温);
6.抗热震性好;
7.使用寿命长 。
产品应用:
用于水平定向凝固法生长Ⅲ-Ⅴ族化合物多晶等。¥ 0.00立即购买
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PBN板材垫片
目前常规的绝缘材料存在不耐高温、纯度低、高温下释放气体、韧性差、高温下不绝缘、易被腐蚀等缺点,PBN绝缘板可解决这些问题。
主要特点:
1.在真空中最高可耐受2300℃,在氨气氛下最高可耐受2700℃
2. 纯度高,高温下不释放气体杂质(>99.99%)
3.韧性好(类似于石墨的六方结构)
4. 高温绝缘性好(体积电阻系数3.11×1011Ω•cm)
5.强化学惰性,耐酸碱盐及有机溶剂的腐蚀
6. c方向热导率低,能够阻挡热量向下传导,减少热量的损失
产品应用:
用于真空、高温、MBE设备等领域的绝缘垫板、垫片、支架、桥架等¥ 0.00立即购买
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