VGF坩埚
VGF坩埚是应用于垂直梯度凝固法（VGF）技术中的一类坩埚。目前，VGF技术作为单晶生长的热门技术，是微光电子和半导体产业生长GaAs单晶和InP单晶的良好选择。
主要特点：
1.可制作大规格坩埚（最大直径8inch，最大高度18inch）；
2.纯度>99.99%
3.使用次数多(具有优异的层间结构)；
产品应用
应用于原位合成GaAs、InP等半导体单晶。
主要特点：
1.可制作大规格坩埚（最大直径8inch，最大高度18inch）；
2.纯度>99.99%
3.使用次数多(具有优异的层间结构)；
产品应用
应用于原位合成GaAs、InP等半导体单晶。
PBN性能参数表
| Properties（属性） | Units（单位） | Values（数值） |
| Density（密度） | g/cm3 | 1.95-2.20 |
| Tensile Strength（抗拉强度） | MPa | 112 |
| Bending Strength（弯曲强度） | MPa | 173 |
| Compression Strength（压缩强度） | MPa | 154 |
| Young's Modulus（杨氏模量） | GPa | 18 |
| Thermal Conductivity（导热系数） | W/m°C | "a" 60 "c" 2 |
| Specific Heat（比热） | J/g·℃ | 0.90（RT） |
| Resistivity（电阻率） | Ω.cm | 2×1015 |
| Dielectric Strength（介电强度） | D.C. volts/mm | 2x1015 |
| Dielectric Constant（介电常数） | "c" 3.07 | |
| Metal Impurity Content（金属杂质含量） | ppm | <10 |
