MBE坩埚
分子束外延（MBE）法是生产砷化镓外延片的方法之一，该法可制出多元、多层、同质、异质、超晶格和量子阱等结构的外延材料。晶体纯度高，化学稳定性好。
主要特点：
1. 可制作大规格坩埚（最大直径12inch，最大高度17inch）；
2. 密度高（最高可达2.2g/cm3）；
3. 纯度高（>99.99%）；
4.不易开裂（层间强度高）。
产品应用
主要用于MBE法合成半导体单晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
主要特点：
1. 可制作大规格坩埚（最大直径12inch，最大高度17inch）；
2. 密度高（最高可达2.2g/cm3）；
3. 纯度高（>99.99%）；
4.不易开裂（层间强度高）。
产品应用
主要用于MBE法合成半导体单晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
PBN性能参数表
| Properties（属性） | Units（单位） | Values（数值） |
| Density（密度） | g/cm3 | 1.95-2.20 |
| Tensile Strength（抗拉强度） | MPa | 112 |
| Bending Strength（弯曲强度） | MPa | 173 |
| Compression Strength（压缩强度） | MPa | 154 |
| Young's Modulus（杨氏模量） | GPa | 18 |
| Thermal Conductivity（导热系数） | W/m°C | "a" 60 "c" 2 |
| Specific Heat（比热） | J/g·℃ | 0.90（RT） |
| Resistivity（电阻率） | Ω.cm | 2×1015 |
| Dielectric Strength（介电强度） | D.C. volts/mm | 2x1015 |
| Dielectric Constant（介电常数） | "c" 3.07 | |
| Metal Impurity Content（金属杂质含量） | ppm | <10 |
