液封直拉法（LEC）技术可生长适用于直接离子注入的高纯非掺杂半绝缘单晶或多晶等。
主要特点：
1.我公司可制作大规格坩埚（最大直径12inch，最大高度17inch）
2.纯度高（>99.99%）；
3. 1500℃下，a方向的热导率是c方向的20倍以上，有利于形成单晶生长所需的温度梯度。
产品应用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半导体单晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶。

VGF坩埚是应用于垂直梯度凝固法（VGF）技术中的一类坩埚。目前，VGF技术作为单晶生长的热门技术，是微光电子和半导体产业生长GaAs单晶和InP单晶的良好选择。
主要特点：
1.可制作大规格坩埚（最大直径8inch，最大高度18inch）；
2.纯度>99.99%
3.使用次数多(具有优异的层间结构)；
产品应用
应用于原位合成GaAs、InP等半导体单晶。

分子束外延（MBE）法是生产砷化镓外延片的方法之一，该法可制出多元、多层、同质、异质、超晶格和量子阱等结构的外延材料。晶体纯度高，化学稳定性好。
主要特点：
1. 可制作大规格坩埚（最大直径12inch，最大高度17inch）；
2. 密度高（最高可达2.2g/cm3）；
3. 纯度高（>99.99%）；
4.不易开裂（层间强度高）。
产品应用
主要用于MBE法合成半导体单晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。

OLED是正在新兴的一种先进显示技术。 OLED坩埚作为OLED生产线上蒸发元的主要容器使用。
产品特点
纯度高达99.999%
高温下放气率极低
厚度均匀，加热一致性好
优异的热导率和抗热震性
易清洗和反复使用
化学惰性，在高温下与酸、碱不发生化学反应